GaN器件质子辐照与电场综合试验系统及方法

摘要：

基于GaN器件质子辐照损伤机制和退化特性,根据剂量深度分布等效拟合原理,提出与地球同步轨道质子辐照环境等效的多能质子综合辐照试验方法.针对空间内带电问题计算电路板材料的充电电位,设计用于内带电效应模拟的静电场和瞬态电场的模拟方法及装置.建立质子辐照与电场综合试验系统并开展初步的试验.研究结果表明:GaN器件在跨导峰值处的栅源电压随质子注量发生偏移;相对于单独质子辐照,质子和电场综合作用下器件特征参数变化速度更快,幅度更大,证明了所提试验方法及系统的有效性.

关键词：GaN器件、质子辐照、电场、综合试验

所属期刊栏目：44

分类号：TJ301(火炮)

资助基金：国家自然科学基金61904007

在线出版日期：2023-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1704-1712