10.3969/j.issn.1000-1093.2018.09.018
硅微通道板微加工技术研究
微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像.提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA).重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和光电化学腐蚀的特性,结果表明:硅光电化学腐蚀技术易于制备高长径比微通道,微通道侧壁更光滑、可制备倾斜通道、更适合制备Si-MCP.制备出通道周期为6μm、长径比大于50的SMA结构.采用厚层氧化实现了Si-MCP基体绝缘,采用原子层沉积工艺制备了连续倍增极,制作出Si-MCP样品.测试结果表明,采用半导体微加工技术制备的Si-MCP电子增益特性具有可行性.
硅微通道板、光电化学腐蚀、原子层沉积、微加工技术
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TN205(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金项目61107027、51502023;吉林省科技厅重点科技研发项目20180201033GX;吉林省教育厅项目20160358
2019-03-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
1804-1810