抛光垫提高化学机械抛光接触压强分布均匀性研究

摘要：

为了改善单晶硅片化学机械抛光(CMP)接触压强分布的均匀性和实现高平坦化抛光,基于弹性力学的“Winkler地基”理论提出了一个新的CMP接触模型.依据此模型,从葵花籽粒分布的结构特征出发对抛光垫进行了分割,计算分析了分割参数对接触压强分布的影响规律,并实验验证了分割参数对硅片抛光平面度轮廓的影响规律.研究结果表明:当分割参数为顺时针0.008～0.009 mm,逆时针为0.005～0.006 mm时,抛光接触压强分布较为均匀,并使得被抛光晶片的平面度得到改善.

关键词：机械制造工艺与设备、抛光、单晶硅片、接触压强、葵花籽粒分布、Winkler地基

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.2;TH161(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目50875179

在线出版日期：2012-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：617-622