瞬态小尺寸等离子体的判断及光谱法表征

摘要：

以等离子体为激发能量的点火方式是含能材料点火技术的一个发展方向,等离子体的基本参数如温度和电子密度对研究等离子体点火的机理是重要的参数.对于半导体桥(SCB)在一定放电条件下所产生的瞬态小尺寸等离子体,很多等离子体诊断方法不能适用.本研究利用原子发射光谱技术,同时获得SCB等离子体温度和电子密度随时间分布的诊断结果,在放电电压为16 V,充电电容为47μF条件下,1.0 Ω的SCB等离子体温度分布在2 400-3800 K之间,电子密度约为3.2 X 10~(14)～4.2×10~(14)个/cm~3左右.同时,依据等离子体成立的空间尺度和时间尺度条件,根据光谱诊断结果,判断不同型号的SCB的放电行为是否产生等离子体.本研究为瞬态小尺寸等离子体诊断提供了一种有效的方法,为SCB桥体的设计以及点火方式的控制提供了理论指导和参考依据,以及用于其它体系中等离子体参数的诊断及判断.

关键词：等离子体物理学、半导体桥、原子发射光谱法、等离子体温度、等离子体密度、等离子体判据

所属期刊栏目：30

分类号：O657.33(分析化学)

在线出版日期：2010-01-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1435-1439