10.3321/j.issn:1000-1093.2008.12.017
利用电化学刻蚀工艺制备p型硅基大孔深通道阵列
在自制的三极电解槽中,采用浓度不同的氢氟酸(HF)电解液在一定掺杂浓度的p型硅基上,研究了大孔深通道阵列的形成过程.通过一系列实验、电化学测试与分析,从理论上论述了P型大孔深通道阵列的形成微观机制,同时解释了电化学刻蚀反应与HF浓度的关系,指出了HF浓度决定电化学反应刻蚀的进行与否与样品质量的关键.提供了一种利用电化学刻蚀工艺制备P型大孔深通道阵列经济实用的方法.实验结果对其形成具有指导意义.
电子物理学、电化学刻蚀、大孔深通道阵列、氢氟酸、P型硅
29
TN205;TN223(光电子技术、激光技术)
2009-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1497-1500