10.3321/j.issn:1000-1093.2007.02.009
垂直腔面发射激光器中的新结构研究
通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件.测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍.
光学、半导体激光器、氧化物限制、量子阱、垂直腔面发射激光器
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TN305.5(半导体技术)
2007-04-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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