衬底温度对中频磁控溅射ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响

摘要：

ZnO:Al(ZAO)薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99.99%)金属材料做靶,采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响,获得适合太阳电池的高效能薄膜,薄膜厚度700 nm左右,其电阻率为4.6×10-4Ω·m,载流子浓度1.98×1020 cm-3,霍尔迁移率61.9 cm2/(V·s),可见光范围内(波长400～800 nm)的平均透过率大于85%.

关键词：凝聚态物理学、中频磁控溅射、ZnO:Al(ZAO)薄膜、衬底温度、载流子浓度、霍尔迁移率

所属期刊栏目：27

分类号：TM914.4+2

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028200;天津市自然科学基金043604911

在线出版日期：2006-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：891-894