用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路

摘要：

在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体(SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上,采用薄膜全耗尽绝缘硅(SOI)结构,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏(LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOI CMOS激光测距集成电路.测试结果表明: 1.2 μm器件101级环振单门延迟为252 ps,总延迟为54.2 ns.电路静态功耗约为3 mW,动态功耗为15 mW.

关键词：半导体技术、激光测距电路、全耗尽SOI结构、LDD结构、源漏Ti硅化物、高速低功耗

所属期刊栏目：26

分类号：TJ430(弹药、引信、火工品)

在线出版日期：2005-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：278-281