液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究

摘要：

用改进的液相外延法生长了大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构,达到了设计要求,阈值电流密度为300A/cm2,斜率效率达1.32W/A,具有很高器件质量.

关键词：液相外延、大功率、半导体激光器

所属期刊栏目：22

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：214-217