抛光工艺参数对高纯氧化铝陶瓷基材抛光效果的影响

摘要：

高纯氧化铝陶瓷基材广泛应用于精密电阻、微波集成电路等高端领域.为了获得具有超高平整度、纳米级表面质量的高纯氧化铝陶瓷基材,采用机械抛光(精研)与化学机械抛光(CMP)(精抛)相结合的工艺路线,系统研究了精研过程中的压力、转速、磨料的粒径、抛光液流速及CMP过程中的抛光压力、转速等工艺参数对抛光效果的影响.结果表明,精研压力为588 N,上、下研磨盘转速分别为45和50 r/min,多晶金刚石研磨液的粒径为1μm,磨料添加速率为1.5 mL/min,精研时长达到2.5 h时,陶瓷基材即可达到抛光工序的表面质量要求.抛光压力为588 N,上、下研磨盘转速分别为20和25 r/min,硅溶胶抛光液粒径为80 nm,抛光2h时,高纯氧化铝陶瓷基材的表面粗糙度可达到纳米级别.

关键词：高纯氧化铝、机械抛光、化学机械抛光(CMP)、抛光参数、表面粗糙度

所属期刊栏目：49

分类号：TN304.21;TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金52032011

在线出版日期：2024-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：56-63