VHF频段小型化千瓦级GaN功率放大器

摘要：

为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于0.5 μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器.通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化;以高通滤波器作为级间匹配电路,在减小电路尺寸的同时,提高了链路增益;采用混合集成工艺,实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成.测试结果表明,在0.24～0.30 GHz频带内,该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100 μs,在占空比10％、输入功率10 dBm的工作条件下,带内输出功率大于1 000 W,功率附加效率约为60％～69％,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm.

关键词：千瓦级、GaN功率放大器、小型化、VHF频段、混合集成

所属期刊栏目：49

分类号：TN722.75(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金U2241220

在线出版日期：2024-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：45-49