用于毫米波相控阵的U波段10 W GaN功率放大器MMIC

摘要：

基于0.15 μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款U波段10 W功率放大器单片微波集成电路(MMIC).该功率放大器MMIC使用的GaN HEMT漏源击穿电压高达90 V,在28 V的漏源电压下,器件功率密度达到5 W/mm.电路级间引入增益补偿网络(GCN),并与偏置网络结合,提高电路稳定性的同时可降低插入损耗;输出级匹配电路使用威尔金森功率合成器及簇丛式结构实现8路功率合成,同时保证阻抗匹配效果及漏极供电能力,提高放大器的输出功率与效率.测试结果表明,在40～50 GHz工作频带内,在栅极工作电压为-1.4 V,漏极工作电压28 V的工作条件下,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于40 dBm,功率增益大于15 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于2,功率附加效率(PAE)大于20％.

关键词：功率放大器、GaN、U波段、增益补偿网络(GCN)、功率合成、单片微波集成电路(MMIC)

所属期刊栏目：48

分类号：TN722.75;TN43(基本电子电路)

在线出版日期：2023-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：605-610