SiC MOSFET的温度特性及结温评估研究进展

摘要：

与Si器件相比,SiC器件具有更加优异的电气性能,新特性给其结温评估带来了新挑战,许多适用于Si器件的结温评估方法可能不再适用于SiC器件.首先对SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的温度特性进行了分析,阐述了本征载流子浓度、载流子迁移率等参数受温度的影响机理,分析了器件阻断特性、输出特性、转移特性等参量,以便找到能够表征结温特性的电气参量;然后研究分析了功率器件结温测量的各类方法,并重点阐述了温敏电参数(TSEP)法在SiC MOSFET结温评估领域的应用前景,从线性度、灵敏度等6个方面对比分析了各方法的优缺点,并指出阈值电压和体二极管压降作为TSEP具有显著优势;最后分析了 TSEP法在目前工程应用中面临的挑战,并对未来的研究工作进行了展望.

关键词：功率器件、SiC、温度特性、结温评估、温敏电参数(TSEP)

所属期刊栏目：48

分类号：TN386.1;TN307(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;广西科技计划项目

在线出版日期：2023-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共16页

页码：541-556