压接型IGBT器件升温曲线测量方法

摘要：

利用热网络模型和有限元仿真分析了压接型IGBT器件升降温曲线不具有等效性的原因,研究了压接型IGBT器件升温曲线的测量方法,对比了大电流通态压降(VCE)法和大电流阈值电压(VGE,th)法的测量原理,对压接型器件的适用性和测量准确度等.仿真结果表明,接触热阻在升温和降温阶段受压力的影响出现了不同的变化趋势,导致了升降温曲线的非等效性.实验结果表明,大电流VGE,th法有效降低了压力对测量带来的影响,测量更为准确,测量误差基本在1K以内,低于大电流VCE法,为压接型IGBT器件进一步的多物理场耦合研究和老化监测提供了参考.此外,实验结果还表明压接型IGBT器件在升降温过程中,压力变化越大,升降温曲线的差异越明显.

关键词：压接型IGBT器件、升降温等效性、升温曲线测量、大电流通态压降(VCE)法、大电流阈值电压(VGE、th)法

所属期刊栏目：47

分类号：TN306(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金52007061

在线出版日期：2023-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：1014-1026