激光照射对IDTBT突触晶体管突触权重的调控

摘要：

人工突触晶体管具有低功耗、高可扩展性以及与生物突触的结构相似性,在人工智能领域展示出巨大的潜力.实现多功能突触晶体管的关键步骤之一是实现突触权重的调控.制备工艺复杂、调控方式繁琐和调节精度低是突触权重调控面临的主要问题.制备了基于茚并二噻吩共苯并噻二唑(IDTBT)的有机突触晶体管,在绝缘层薄膜溅射完成后,利用激光对绝缘层薄膜进行照射处理.探究了不同激光照射强度对突触权重调控的影响,包括兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)和长程增强(LTP),证明了激光照射可以调控绝缘层薄膜中氧空位的数量,从而精确调节突触权重.在不改变器件几何结构和材料的前提下,实现了室温环境下快速、精确的突触晶体管突触权重调控,为未来的神经形态计算硬件设计提供参考.

关键词：晶体管、突触、权重、激光、茚并二噻吩共苯并噻二唑(IDTBT)

所属期刊栏目：47

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：中国福建光电信息科学与技术创新实验室闽都创新实验室主任基金资助项目;福建省教育厅中青年教师教育科研项目;福建卫生职业技术学院闽台合作研究专项

在线出版日期：2023-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：985-990