超快响应GaN半导体光导开关的研制

摘要：

半导体光导开关(PCSS)利用半导体材料的高耐压、快速响应与高迁移率等特性,可产生大功率超窄脉冲信号.利用半绝缘GaN材料制备了异面斜对电极PCSS,通过去除芯片侧边金属化合物来减小暗态电阻,提升了 PCSS暗态耐压并降低暗态漏电,采用绝缘导热封装提升器件的耐压与可靠性,研制了快拆式测试电路与夹具,实现储能、触发与低寄生同轴输出功能,提升了高频测试准确度与高频响应能力.搭建了高压宽带PCSS测试系统,测量开关线性工作特性,在5 kV偏置电压、触发激光脉冲波长为532 nm、能量为5 mJ下,GaN PCSS在50 Ω负载上输出超快脉冲信号电压峰峰值大于2 kV,脉冲信号上升沿小于88 ps.

关键词：GaN、半导体光导开关(PCSS)、窄脉冲信号、异面结构、超快响应

所属期刊栏目：47

分类号：TN36(半导体技术)

在线出版日期：2023-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：960-964