SiC MOSFET直流固态断路器短路特性及保护电路

摘要：

为了提高用于直流微电网的SiC MOSFET固态断路器(SSCB)的可靠性,对其在较大电感条件下的短路特性和短路保护电路进行了研究.首先对SSCB短路电流分断过程进行了分析,给出了金属氧化物压敏电阻(MOV)的选型依据.在此基础上通过实验研究了不同直流母线电压、不同功率器件结温和不同故障电感下SSCB的短路特性,揭示了SSCB的短路失效模式,分析了SSCB短路电流分断能力的影响因素.设计了基于现场可编程门阵列(FPGA)的电压源型退饱和保护电路,并制作了样机.实验结果表明,所设计的退饱和保护电路实现了短路保护的快速响应,响应时间为593 ns,可有效保护SSCB中的SiC MOSFET.

关键词：SiC MOSFET、固态断路器(SSCB)、短路特性、退饱和保护、短路电流分断能力

所属期刊栏目：47

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：554-563,569