GaN基肖特基势垒二极管的结构优化研究进展

摘要：

氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有电子饱和速率高、临界击穿电场大、热导率高等优点.GaN基肖特基势垒二极管(SBD)具有工作频率高、导通电阻小、耐高温高压等特点,在电动汽车、数据中心及5G通信技术等领域有广泛的应用前景.综述了GaN基SBD的工作原理,目前面临的主要问题,以及器件设计和结构优化的研究进展,包括横向结构(AlGaN/GaN异质结)SBD的外延、肖特基阳极和终端结构的优化;展示了垂直SBD及准垂直SBD的研究进展;最后,对GaN基SBD的进一步发展进行了总结和展望.

关键词：氮化镓(GaN)、肖特基势垒二极管(SBD)、结构优化、垂直器件、准垂直器件

所属期刊栏目：47

分类号：TN304.21;TN432;TB383

在线出版日期：2022-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：505-512