基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC

摘要：

介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制.该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益.用电子设计自动化(EDA)软件进行电路设计,并对全版图进行电磁场仿真.测试结果表明,当漏压为+5 V、栅压为-2.3 V时,放大器的静态电流为100 mA.在88～98GHz频带内,放大器小信号增益大于22 dB,噪声系数小于4.6 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于1.55 ∶ 1,输出VSWR小于1.65 ∶ 1,1 dB压缩点输出功率大于12 dBm.芯片面积为3.99 mm×1.47 mm.该LNA具有带宽宽、增益高、噪声低、输出功率高等特点,可广泛应用于W波段接收前端.

关键词：GaN、高电子迁移率晶体管(HEMT)、W波段、低噪声放大器(LNA)、单片微波集成电路(MMIC)

所属期刊栏目：47

分类号：TN43;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：237-242