Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC

摘要：

研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC).MMIC采用三级级联放大结构,在末级采用簇丛型合成网络实现8胞功率合成,电路输入端和级间采用低通电抗式匹配网络,输出端采用带通电抗式匹配网络,并结合稳定网络实现高效稳定的特性.对所设计的功率放大器MMIC进行了流片验证,芯片面积为4.3 mm×2.9 mm.测试结果表明,在漏极偏置电压为20 V(100μs脉宽、10％占空比),栅极偏置电压为-1.6 V,输入功率为18 dBm的条件下,该款功率放大器MMIC的工作频率为27～33GHz,饱和输出功率大于10 W,功率增益大于22 dB,功率附加效率高达30％.

关键词：功率放大器(PA)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、单片微波集成电路(MMIC)、功率合成、奇模抑制

所属期刊栏目：47

分类号：TN43;TN722.75(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：231-236