具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管

摘要：

研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性.与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密度、降低了正向压降.该器件基于6英寸(1英寸=2.54 cm)CMOS工艺平台制备.与采用SOD-323封装的1 A、40 V平面小电流肖特基势垒二极管B5819WS相比,通过对沟槽结构关键尺寸和工艺条件的设计和优化,封装尺寸缩小88％,电流密度555 A/cm2下正向压降典型值为0.519 V,反向电流100pA下反向击穿电压为48.98 V,反向电压40 V下反向漏电流为3.02 μA.该器件具有更高的电流密度,可满足印制电路板(PCB)小型化需求.

关键词：沟槽肖特基势垒二极管、正向压降、反向电流、电流密度、方形扁平无引脚(DFN)封装

所属期刊栏目：47

分类号：TN311.7(半导体技术)

在线出版日期：2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：199-204