SiC电力电子学产业化技术的创新发展

摘要：

进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段.介绍了 SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展.其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等.分析和评价了 SiC电力电子学产业化的发展态势.

关键词：SiC单晶、SiC二极管、SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)、SiC门极关断晶闸管(GTO)、SiC功率模块

所属期刊栏目：47

分类号：TN303;TN304.24(半导体技术)

在线出版日期：2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共18页

页码：161-178