IGBT芯片静态输出曲线连续测量方法

摘要：

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一.现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存在价格昂贵、夹具单一的问题.亟需开发一种简单、快速、有效的静态输出曲线测量方法.面向高压IGBT芯片,提出一种新的静态输出曲线连续测量方法及测试电路,有效减小了IGBT芯片的电导调制效应和温升效应对静态输出曲线的影响.通过实时测量动态过程中的电压及电流,可以快速得到IGBT芯片静态输出曲线.通过对比本文连续法与功率器件分析仪的测量结果,证明了所提方法的有效性.

关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、静态输出曲线、连续法、电导调制效应、温升效应

所属期刊栏目：47

分类号：TN322.8(半导体技术)

资助基金：国家电网有限公司总部科技项目5500-202058400A-0-0-00

在线出版日期：2022-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：70-76