多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析

摘要：

基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM).详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素.测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能.经过104次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性.通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能.

关键词：嵌入式非易失性存储器(eNVM)、多次可编程(MTP)存储器、数据保持能力、Arrhenius模型、加速老化试验、激活能

所属期刊栏目：47

分类号：TN431.2(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：四川省科技计划项目2019YJ0626

在线出版日期：2022-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：65-69