5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关

摘要：

基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片.为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射.芯片面积为2.1 mm×1.1 mm.在片测试结果显示,在24.25～ 29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm.

关键词：5G毫米波、单刀双掷(SPDT)开关、GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)、低插损、高隔离

所属期刊栏目：47

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点研发计划;广东省珠江人才计划本土创新科研团队资助项目

在线出版日期：2022-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：55-59