单晶圆湿法清洗工艺中铝金属腐蚀问题研究

摘要：

在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题.通过控制清洗过程中的工艺参数,增加起侧壁保护作用的铝金属氧化层的厚度,从而抑制铝金属腐蚀缺陷的产生.随着清洗溶液温度的降低,晶圆清洗后6h铝金属腐蚀缺陷数量明显减少;随着H2SO4标称质量分数由80％增加到105％,铝金属腐蚀缺陷数量减少;而H2SO4标称质量分数继续增加到115％时,铝金属腐蚀缺陷数量却增加.清洗溶液温度和H2SO4质量分数实验结果表明,更低的温度以及一定范围内的高H2SO4质量分数有利于促进铝金属氧化层的生成,强化侧壁保护,从而达到抑制铝金属腐蚀缺陷发生的目的 .

关键词：铝金属腐蚀、湿法清洗、侧壁保护、集成电路制造、单晶圆

所属期刊栏目：47

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-49