一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法

摘要：

由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响.为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(TSV)刻蚀进行了研究.通过在BOSCH工艺中引入偏置电极功率递增和单步沉积时间递增的组合,硅微腔和TSV中的底部圆角高度分别从13.6 μm和12 μm减小到了6.6～10.0 μm和8.4 μm.该方法有望实际应用于微电子机械系统(MEMS)器件的制造和电子器件的先进封装等领域.

关键词：深硅刻蚀、减小底部圆角、硅微腔、硅通孔(TSV)、先进封装

所属期刊栏目：47

分类号：TN305.7;TN304.12(半导体技术)

在线出版日期：2022-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：42-45,64