抛光液中各组分对Co CMP性能的影响

摘要：

钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H2O2)、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响.结果 表明,抛光液中H2O2体积分数为0.4％、pH值为8、甘氨酸(GLY)浓度为0.266 mol/L时,Co的去除速率最大,为763.53 nm/min.为了缓解Co表面的化学腐蚀,加入0.022 mol/L的TAZ作为抑制剂和体积分数为1.3％的JFCE作为表面活性剂后,Co的去除速率得到有效抑制,为489.74 nm/min.对抛光前后的Co表面进行原子力显微镜(AFM)测试,结果表明,Co表面湿润性增加,表面粗糙度明显下降.研究结果对Co布线的工业应用具有一定的指导意义.

关键词：化学机械抛光(CMP)、钴(Co)、去除速率、表面粗糙度、抛光液

所属期刊栏目：47

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;河北省自然科学基金资助项目

在线出版日期：2022-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：37-41,76