非易失性静态随机存储器研究进展

摘要：

在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM).首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述.对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术.最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向.

关键词：非易失性、静态随机存储器(SRAM)、恢复率、漏电流、功耗

所属期刊栏目：47

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;福建省自然科学基金面上项目;厦门市青年创新基金资助项目

在线出版日期：2022-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1-8,18