高温可靠性试验对SiC MOSFET特性参数的影响

摘要：

SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行.对SiC MOSFET进行了168 h的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验.结果 表明,试验前后器件的阈值电压和跨导变化较大,而导通电阻和极间电容变化较小.通过拟合分析得到试验前后器件导通电阻、阈值电压和跨导的变化率与各参数数值之间的拟合曲线.最后基于测试结果,提出了一种针对1 200 V/20 A SiC MOSFET的筛选方法,以降低器件在高温可靠性试验前后的参数变化率,从而提升器件在长期高温环境中的可靠性.

关键词：SiC、MOSFET、高温栅偏(HTGB)试验、高温反偏(HTRB)试验、筛选方法

所属期刊栏目：46

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家电网公司总部科技项目5500-201958393A-0-0-00

在线出版日期：2021-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：330-336