不同退火氛围对TiN/HfO2/Si02/Si结构电荷分布的影响

摘要：

热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段.系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下Si02/Si和Hf02/Si02界面的界面电荷密度、Hf02的体电荷密度以及Hf02/Si02界面的界面偶极子的数值.研究结果表明,在氨气和氧气氛围中退火会使Hf02/Si02界面的界面电荷密度减小、界面偶极子增加,而Si02/Si界面的界面电荷密度几乎不受退火影响.最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响,发现两种不同的退火条件都会导致TiN/Hf02/Si02/Si电容结构平带电压的正向漂移,基于退火对其电荷分布的影响研究,此正向漂移主要来源于退火导致的Hf02/Si02界面的界面偶极子的增加.

关键词：高k栅介质、金属栅、退火、电荷分布、偶极子

所属期刊栏目：46

分类号：TN305;TN301(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家科技重大专项

在线出版日期：2021-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：64-69