一种阵列式版图布局的低温度系数CMOS带隙基准电压源

摘要：

设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出.后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积.基于65 nm/3.3 V CMOS RF器件模型,在Cadence IC设计平台进行原理图和电路版图设计,并对输出参考电压的精度、温度系数、电源抑制比(PSRR)和功耗特性进行了仿真分析和对比.结果表明,在3.3 V电源和27℃室温条件下,输出基准电压的平均值为765.7 mV,功耗为0.75 μW;在温度为-55～125 ℃时,温度系数为6.85x10-6/℃.此外,输出基准电压受电源纹波的影响较小,1 kHz时的PSRR为-65.3 dB.

关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS)、带隙基准电压源、低温度系数、亚阈值区、晶体管阵列版图

所属期刊栏目：46

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;河南省科技厅科技攻关计划重点项目;河南省科技厅科技攻关计划重点项目

在线出版日期：2021-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：24-29