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10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.02.010

水热法制备Cu2O纳米薄膜及其光电性能

引用
以Zn粉与Cu(Ac)2为主要反应物,采用水热法在新型反应液中制备了Cu2O纳米薄膜.探讨了Cu(Ac)2的浓度、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)浓度、NaOH浓度、反应时间和反应温度等制备条件对样品光电性能的影响.结果表明,当反应釜中加入10 mL 0.2 mol/LCu(Ac)2溶液、0.5 mL 0.127 mmol/L CTAB和5 mL 0.15 mol/L NaOH溶液,ITO导电玻璃插入反应釜中,置于170℃烘箱中反应6h时,得到的Cu2O纳米薄膜具有较高光电压,其值为0.286 6 V.X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果显示,位于36.441°的(111)晶面和77.417°的(222)晶面分别具有最强衍射峰和最弱衍射峰.以O元素对Cu2O进行归一化处理后,样品中Cu和O元素的原子数分数分另为54.80%和27.40%,质量分数分别为75.50%和9.50%.Cu2O样品呈现不规则的削顶多棱锥多面体晶体结构,分散均匀,锥底最大径向宽度为1~2.5 μm.

水热法、氧化亚铜(Cu2O)、光电性能、光电压、开路电位

43

TN304.21(半导体技术)

国家自然科学基金;国家自然科学基金

2018-03-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

142-147,159

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

43

2018,43(2)

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