退火处理对高阻AZO纳米叠层薄膜电学性能的影响

摘要：

采用原子层沉积技术及退火处理工艺制备高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜.通过原子力显微镜、X射线衍射仪、高阻测试仪对不同退火工艺处理后的AZO纳米叠层薄膜进行表征和分析,并研究了退火温度、退火时间对薄膜形貌、结构及电学稳定性的影响.研究结果表明,经退火处理后的AZO纳米叠层薄膜电阻率明显增大,且适当的时间退火处理有助于薄膜结构的优化.经400℃,6h退火处理后的AZO纳米叠层薄膜,表面平整连续,粗糙度仅有0.185 nm,且电学稳定性最好.在测试电压为25～1 000 V时,测得薄膜的方块电阻最大值为5.76×1012Ω/□,最小值为5.55×1012Ω/□,其方块电阻基本稳定.该工艺制备的AZO纳米叠层薄膜在微通道板电子倍增器中具有一定的应用价值.

关键词：氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜、原子层沉积(ALD)、电学特性、退火处理、微通道板(MCP)

所属期刊栏目：43

分类号：TN304.26;TN305(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61107027

在线出版日期：2018-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：136-141