原位生长包/芯/包层界面的氧化硅基阵列波导光栅

摘要：

阵列波导光栅(AWG)是密集波分复用光通信和芯片光谱仪中的核心芯片,提出了一种新的AWG制造方法,在制作芯层时采用原位生长包层/芯层/包层三明治结构,采用化学气相沉积(CVD)工艺原位生成芯层和上下包层的界面,避免了原来分别生长芯层、包层时光刻、去胶工艺在芯、包层界面处带来的颗粒物和有机污染,从而有效减少了对器件性能影响最大的芯、包层界面处的缺陷.详细介绍了改进后的工艺流程和参数,在硅衬底上制作了工作波长为800～1 050 nm的AWG芯片并将其作为验证芯片.通过对工艺改进前后的两组AWG芯片进行对比测试,证明了新工艺具有成品率高、性能稳定的优点.

关键词：阵列波导光栅(AWG)、氧化硅、光波导、原位生长、包/芯/包层界面

所属期刊栏目：43

分类号：TN304.055;TN256(半导体技术)

资助基金：福建省工业高校产学合作项目2014H6024

在线出版日期：2018-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：131-135