14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模

摘要：

随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管(FinFET)源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要.根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分:由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻(Rcon)、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻(Rsu)以及源漏与沟道之间的寄生电阻(Rext).考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对Rcon,Rsp和Rext进行建模.最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1％.

关键词：鳍型场效应晶体管(FinFET)、非本征寄生、源漏寄生电阻、建模、TCAD仿真

所属期刊栏目：43

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61574056

在线出版日期：2018-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：120-124,153