一款低附加相位噪声X波段四倍频MMIC的设计

摘要：

基于GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺设计了一款输出频率为8～10 GHz的X波段四倍频器单片微波集成电路(MMIC).采用两级对管平衡倍频器级联结构,并在输出端设计了驱动放大器,实现了高变频增益和良好谐波抑制.基于GaAs HBT工艺优良的闪烁噪声(1/f)特性,优化了对管平衡电路拓扑和工作点的选取,达到低附加相位噪声的设计目标.对MMIC进行了在片微波探针测试,测试结果表明,当输入功率为-10 dBm时,在8～ 10 GHz输出频率内变频增益大于13 dB,二次谐波抑制大于18 dBc,其余各次抑制优于27 dBc.电路采用单电源5V供电,工作电流为55 mA,芯片面积仅为1.3mm×1.1mm.介绍了附加相位噪声及其对频率源系统的影响,并分析了正交鉴相法测量相位噪声的原理,所设计的MMIC在输出频率为9 GHz、频偏100 kHz时附加相位噪声达到-143 dBc/Hz.

关键词：GaAs异质结双极性晶体管(HBT)、X波段、四倍频器、附加相位噪声、单片微波集成电路(MMIC)

所属期刊栏目：43

分类号：TN43;TN771(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：106-109,153