基于VO2/TiO2/FTO微结构的电压诱导相变存储器特性

摘要：

相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质.为了制备基于VO2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡(FTO)导电玻璃衬底上沉积一层厚度为100 nm的TiO2薄膜,再通过直流磁控溅射法制备VO2薄膜,并在TiOJFTO复合薄膜上形成VO2/TiO2/FTO微结构,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪和半导体参数测试仪表征分析微结构的结晶和非易失性相变存储特性.结果表明,N2和O2的体积流量比为60∶40时,在TiO2/FTO上可生长出晶向为〈110〉的高质量VO2薄膜,在VO2/TiO2/FTO微结构两侧反复施加不同的脉冲电压,可观测到微结构具有非易失性相变存储特性,在67,68和69℃温度下的相变阈值电压分别为8.5,6.5和5.5V,相比多层膜结构的相变阈值电压降低了约37％.

关键词：VO2/TiO2/FTO、直流磁控溅射、相变存储器、阈值电压、电致相变

所属期刊栏目：42

分类号：O484.4;TN303(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;教育部科学技术研究项目;上海市科委科技攻关计划;上海市教育委员会科技创新重点项目;上海市领军人才培养计划

在线出版日期：2017-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：387-393