石墨烯上生长GaN纳米线

摘要：

采用金属Ga升华法在石墨烯/蓝宝石衬底上生长了高质量GaN纳米线,研究了不同的生长条件,如NH3流量、反应时间、催化剂和缓冲层等对GaN纳米线形貌的影响,采用扫描电子显微镜(SEM)对GaN纳米线进行表征.研究发现,在适当的NH3流量且无催化剂时,衬底上可以生长出粗细均匀的GaN纳米线.反应时间为5 min时,纳米线密集分布在衬底上,表面光滑.在石墨烯/蓝宝石上预先低温生长GaN缓冲层,然后升温至1 100℃进行GaN纳米线生长,获得了具有择优取向的GaN纳米线结构.研究表明,石墨烯和缓冲层对获得GaN纳米线结构有序阵列具有重要的作用.

关键词：氮化镓、纳米线、升华法、石墨烯、缓冲层

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家高技术研究发展计划（863计划）;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省自然科学基金;固态照明与节能电子学协会创新中心资助项目;国家级大学生创新创业训练计划项目;江苏高校优势学科建设工程项目;国网山东电力公司技术开发基金资助项目

在线出版日期：2017-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：382-386