热丝CVD法沉积超薄α-Si∶H钝化膜

摘要：

采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜.利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响.结果表明,热丝电流为21.5～23.5 A时,钝化后硅片的少子寿命随着热丝电流的增加呈现先增加后降低的趋势,热丝电流为23.0A时,钝化效果最好;H2体积流量为5～ 20 cm3/min时,少子寿命随着H2体积流量的增加呈现先增加后降低的规律,体积流量为15 cm3/min时,钝化效果最好;热丝与衬底间距为4～5 cm时,随着间距的增加,薄膜的结构由晶化向非晶化转变,在间距为4.5 cm时硅片的钝化效果达到最优.

关键词：热丝化学气相沉积(HWCVD)、介电常数、非晶硅(α-Si∶H)薄膜、钝化、带有本征薄层的异质结(HIT)

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分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;重点实验室开放基金;江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目

在线出版日期：2017-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：376-381,386