铜(钛)和铜(铬)自形成阻挡层性能表征

摘要：

采用直流磁控溅射法分别将Cu (Ti)和Cu (Cr)合金层沉积在SiO2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10-3 Pa)中退火1h,退火温度为300 ～ 700℃.对Cu (Ti)及Cu (Cr)自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)观察并表征样品的微观结构.通过半导体分析仪测试样品的电学性能,并分析了其热稳定性.结果表明,在Cu膜中分别加入少量的Ti或Cr可使Cu沿〈111〉晶向择优取向生长.两种样品交界面处的Cu及Si元素含量迅速下降,表明在交界面处自形成阻挡层,抑制了Cu与Si元素之间的扩散.Cu (Ti) /SiO2/Si和Cu (Cr) /SiO2/Si样品漏电流测试结果表明,Cr自形成的阻挡层具有更好的热稳定性.

关键词：铜(铬)合金、铜(钛)合金、磁控溅射、界面、阻挡层、退火

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.92(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51371063

在线出版日期：2017-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：371-375,386