3300 V p+深阱平面栅非穿通IGBT特性

摘要：

高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效.对p+深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p+深阱平面栅非穿通IGBT (NPT-IGBT).对NPT-IGBT的静态特性进行了仿真,结果表明,当p+结深约为5.5 μm,p+深阱距离多晶硅5μm时,p+深阱并未影响到沟道处p阱掺杂浓度,对IGBT静态特性无明显影响.制备了不同p+深阱注入剂量的IGBT芯片,并将芯片封装为模块,分别进行常温和高温下的静态和动态参数测试.测试结果表明,当p+深阱剂量低时,常温下模块关断失效;而p+深阱剂量增大时可通过常温、高温开关测试,并通过10μs短路测试.p+深阱注入剂量对静态特性无明显影响,对动态特性改善明显,可满足应用要求.

关键词：非穿通绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)、p+深阱、静态特性、动态特性、闩锁

所属期刊栏目：42

分类号：TN322.8(半导体技术)

资助基金：国家能源局项目;自筹项目

在线出版日期：2017-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：352-357