图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响

摘要：

近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用.通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜(SEM)和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规格和形状的衬底图形对LED芯片出光性能影响,并与外购锥形衬底(PSSZ2)进行对比.结果表明,在20 mA工作电流下,PSSZ2的LED光通量为8.33 lm.采用类三角锥和盾形衬底的LED光通量分别为7.83 lm和7.67 lm,分别比PSSZ2衬底低6.00％和7.92％.对锥形形貌进行优化,采用高1.69 μm、直径2.62 μm、间距0.42 μm的锥形衬底(PSSZ3)的LED光通量为8.67 lm,比PSSZ2衬底高4.08％,优化的PSSZ3能有效地提高LED出光性能.

关键词：图形化蓝宝石衬底(PSS)、衬底形貌、GaN基LED、光通量、出光性能

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.23;TN312.8(半导体技术)

资助基金：电子信息产业发展基金

在线出版日期：2017-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：347-351