10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.05.003
一种无电感高线性有源混频器的设计
提出了一种基于负阻退化技术的2.4 GHz高线性亚阈值混频器,该混频器相对于传统结构而言,增加了两个交叉耦合电容.由于该结构的内部负阻退化技术抵消了寄生电容,因而降低了寄生电容对增益和线性度的影响,改善了增益和线性度.采用基于Volterra级数的小信号模型,分析交叉耦合电容对于输入三阶交调点ⅡP3和增益的影响.分析表明该方法确实能够改善ⅡP3性能.采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺进行设计并流片,该芯片大小为0.22 mm×0.2 mm.芯片测试结果表明,该混频器在2.1mW功耗的情况下,获得了13.4 dB的增益,并且ⅡP3高达5.4 dBm.
负阻退化、亚阈值、高线性、低功耗、无电感
42
TN432;TN773(微电子学、集成电路(IC))
河南省教育厅科学技术研究重点项目;河南省科技攻关计划;许昌市科技发展计划;青年骨干教师项目
2017-06-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
335-339,399