宽带混频器的优化设计

摘要：

采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并实现了一款单片宽带混频器.该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二极管以提升混频器线性度.本振巴伦和射频巴伦均采用螺旋线式Marchand巴伦,为降低巴伦的幅度及相位不平衡度,采用遗传算法对巴伦的几何参数进行了优化设计.该混频器电路采用0.25 μm GaAs PHEMT工艺实现,芯片面积为1.5mm×1.1 mm.测试结果表明,当本振功率为20 dBm时,变频损耗小于7 dB,输入三阶交调点ⅡP3大于22 dBm.本振端口到射频端口和中频端口的隔离度均大于30 dB.

关键词：砷化镓(GaAs)、混频器、高线性度、遗传算法、巴伦

所属期刊栏目：42

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：河北省自然科学基金F2014208113

在线出版日期：2017-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：330-334