氮气流量对磁控溅射AlN薄膜光学性能的影响

摘要：

AlN薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点.采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜.利用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能.结果表明随着氮气流量的增加,AIN薄膜质量变好,N2流量为8 cma/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm-1处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜.在300～ 900 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94％;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV.

关键词：AlN薄膜、直流磁控溅射、氮气流量、透过率、光学性能、室温

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.92;TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;江苏省前瞻性联合创新资助项目;江苏高校优势学科建设工程项目;中央高校基本科研业务费专项

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：32-36,42