提高GaN功率器件开关频率的技术途径

摘要：

GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件.介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响.针对影响GaN基功率器件开关特性的主要因素,重点分析了提高增强型GaN基功率器件开关频率的主要技术途径.减小器件的接触电阻、沟道方块电阻可以降低器件电阻对频率的影响.小栅长器件中栅电容较低,电子的沟道渡越时间较短,也可以提高器件的频率特性.此外,由于GaN基的功率器件频率高,设计应用在GaN器件上的栅驱动电路显得尤为重要.

关键词：GaN、开关频率、增强型、栅绝缘层、栅驱动电路

所属期刊栏目：42

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1-9