石墨烯晶体管工艺新方法获美国专利授权

摘要：

中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室石墨烯团队自主研发的低损伤自对准石墨烯晶体管制备工艺获得美国专利授权.
石墨烯因其超高载流子迁移率、超高热导率、超薄等优异特性,是制作高频电子器件的理想候选材料,预测50 nm栅长的石墨烯晶体管截止频率可超过1 THz.石墨烯器件工艺过程对二维材料石墨烯造成损伤和污染,是制约石墨烯晶体管性能提升的关键因素,开发适合于二维材料石墨烯的晶体管工艺新方法是目前亟需解决的问题之一.

机标关键词：石墨烯晶体管、美国专利、专利授权

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分类号：TN386;G306;TN705

在线出版日期：2017-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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