纳米尺寸芯片的透射电镜样品制备方法

摘要：

针对先进半导体器件在失效分析过程中遇到的实际问题,介绍了两种优化的透射电镜(TEM)样品制备方法,两种方法均使用了聚焦离子束(FIB)设备完成.详细描述了两种制备方法的改善步骤以及改善后的效果.一种方法是通过增加碳的覆盖层来避免TEM图像重影问题;另外一个方法是利用FIB的不同角度切割能力,来制备定点的平面TEM样品.实践证明,通过FIB样品制备方法的优化和改善,解决了45 nm工艺及以下制程的半导体器件失效分析过程中遇到的此类问题,TEM样品质量能得到有效的改善,对于解决实际工作中的问题非常有效.

关键词：透射电镜(TEM)、样品制备、聚焦离子束(FIB)、失效分析、平面样品

所属期刊栏目：41

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：上海市先进集成电路微分析专业技术服务平台资助项目14DZ2294800

在线出版日期：2017-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：945-950