富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性

摘要：

通过磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生长了富铟InP单晶,将晶锭进行定向切割、研磨和抛光,得到InP抛光片.用金相显微镜、扫描电镜、快速扫描光荧光谱(PL-Mapping)技术、高分辨率XRD射线衍射技术研究了富铟非掺InP单晶样品特性.结果表明,在富铟条件下生长的InP单晶会出现富铟夹杂,这种富铟夹杂可导致其周围位错密度升高,同时富铟夹杂在晶片内分布也是不均匀的,在晶片中心部分富铟夹杂的密度高,在边缘部分密度低.对富铟夹杂形成及不均匀分布的原因进行了分析,讨论了富铟夹杂对PL-Mapping发光峰峰值的影响.

关键词：磷化铟、液封直拉(LEC)法、晶体生长、富铟夹杂、光荧光谱(PL-Mapping)

所属期刊栏目：41

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;河北省自然科学基金;天津市自然科学基金

在线出版日期：2017-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：939-944